- reverse gate power dissipation
- обратная рассеиваемая мощность управления, обратная рассеиваемая мощность управления тиристора
English-Russian dictionary of mechanical engineering and automation. - RUSSO. B.S. Voskoboinikov, V.L. Mitrovich. 2003.
reverse gate power dissipation
Смотреть что такое "reverse gate power dissipation" в других словарях:
Power semiconductor device — Power semiconductor devices are semiconductor devices used as switches or rectifiers in power electronic circuits (switch mode power supplies for example). They are also called power devices or when used in integrated circuits, called power… … Wikipedia
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20332 84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 110. Время включения тиристора E. Turn on time F. Temps d’amorcage tувкл, tвкл Интервал времени, в течение которого тиристор… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Tidal power — Tidal power, sometimes called tidal energy, is a form of hydropower that converts the energy of tides into electricity or other useful forms of power.Although not yet widely used, tidal power has potential for future electricity generation. Tides … Wikipedia
обратная рассеиваемая мощность управления тиристора — Обозначение Pу,обр PRG [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN reverse gate power dissipation FR puissance dissipée de gâchette inverse … Справочник технического переводчика
Обратная рассеиваемая мощность управления тиристора — 104. Обратная рассеиваемая мощность управления тиристора E. Reverse gate power dissipation F. Puissance dissipée de gâchette inverse py,обр Источник: ГОСТ 20332 84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Средняя — периодическое увлажнение пола, при котором поверхность покрытия пола влажная или мокрая; покрытие пола пропитывается жидкостями. Источник: МДС 31 12.2007: Полы жилых, общественных и производственных зданий с применением м … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
CMOS — For other uses, see CMOS (disambiguation). CMOS inverter (NOT logic gate) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) ( … Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
